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电子元器件详细资料 » IC[20237] » IPP65R660CFD
型号:IPP65R660CFD类别:FET - 单制造商:Infineon Technologies
封装:TO-220-3描述:MOSFET N-CH 700V 6.0A TO220

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 700V 6.0A TO220
系列CoolMOS™
制造商Infineon Technologies
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)650V
电流_连续漏极(Id)0a025000C6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C660 毫欧 @ 2.1A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224.5V @ 200µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs22nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds615pF @ 100V
功率_最大62.5W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商设备封装PG-TO220-3
包装管件

供应商

深圳市恒佳微电子有限公司朱经理、张小姐0755-82533156 82710336
深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
深圳市鹏顺兴科技有限公司谭小姐0755-23063133/83238712
深圳信泰电子器材有限公司廖先生0755-83242658
深圳市华创欧科技有限公司朱先生086-0755-23945755 83248872
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